Производитель Номер продукта:
TSM8N80CI C0G
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM8N80CI C0G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB
Подробное описание:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Инвентаризация:
995 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12895728
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM8N80CI C0G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.05Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1921 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ITO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
TSM8N80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
-2068-TSM8N80CIC0GDKR
-2068-TSM8N80CIC0G
TSM8N80CI C0G-DG
TSM8N80CIC0G
-2068-TSM8N80CIC0GDKR-DG
-2068-TSM8N80CIC0GDKRINACTIVE
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP2066UFDE-7
MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
TSM60NB099PW C1G
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
TSM045NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 16A/104A 8PDFN
